三星850 EVO 3bit 3D闪存SSD怎么样测试
首款采用2bit 3D V-NAND闪存的三星850PRO旗舰级SSD诞生不足半年，三星紧接着推出新一代主打性价比的850 EVO SSD，它采用架构更为先进的3bit 3D V-NAND闪存。这引起SSD用户的好奇和兴趣，3bit 3D V-NAND闪存能给我们带来什么变化？
三星850 EVO SSD首测
作 为840 EVO的替代升级型号，850 EVO延续原厂主控、闪存、缓存、固件的四位一体优势。和840 EVO的相比，850 EVO的最大亮点无疑 是3bit 3D V-NAND闪存，它的单位存储密度、P/E耐久度较之840 EVO的2D平面闪存有质的提升。
三星850 EVO 1TB SSD
三星850 EVO 1TB SSD
外观上，850 EVO采用850PRO的主色调和设计风格，除了背后醒目的标签，正面区别主要看①850PRO的壳体边框进行抛光处理，看起来“锃亮锃亮滴”；②外壳的三星LOGO正下方的方形标识，850PRO为红色，850 EVO则为灰色。
850 EVO（左）和850PRO（右）
上一代三星840 EVO为了区分840PRO，前者采用灰色的主色调（后者采用黑色），并且840PRO和840 EVO拉开性能差距。此次850 EVO和850PRO采用同样的主色调，留给我们一个悬念：850 EVO的性能达到850PRO的水准？
3bit 3D V-NAND闪存长什么样？它和普通SSD所采用的2D闪存区别不大，但它的内部构造和普通2D平面闪存有着本质的不同。一块3bit 3D V-NAND闪存芯片由32个单元层垂直堆叠而成，它并没有减少单元层尺寸，而且由于采用了更小的碳足迹，此结构密度更高，性能更强。
一款SSD的主控和闪存对性能起到决定性作用，下面我们拆解三星850 EVO 1TB SSD，对它的主控和闪存进行解析：
三星850 EVO 1TB SSD的PCB电路部分
主控：和840 EVO、850PRO一致
三星S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片
三星850 EVO 1TB SSD采用840 EVO、850PRO的S4LN045X01-8030（MEX）主控芯片，属于ARM架构的三核处理器，具备强悍的多任务、多路数据读写传输能力。
闪存：首款应用消费级SSD的3bit 3D V-NAND
3bit 3D V-NAND闪存
3bit MLC闪存率先应用在前两代的三星840系SSD，而在3bit 3D V-NAND闪存，三星再次走在其他厂家前面，首次应用于850 EVO SSD。和采用2bit 3D V-NAND的85OPRO 1TB SSD不同，850 EVO 1TB SSD采用的8颗3D闪存均为同规格容量；而850PRO 1TB SSD的正反两面的闪存编号和容量不一。
这款率先采用3bit 3D V-NAND闪存的消费级SSD性能如何？下面我们将用850PRO 1TB、840PRO 512GB SSD、840 EVO 1TB SSD进行性能对比、分析：
ATTO Disk Benchmark测试
数据类型：压缩型
ATTO Disk Benchmark是一款优秀且免费的磁盘基准测试软件，支持对稳定性/突发性传输速率进行读写测试，适用于常规硬盘、RAID、USB闪存盘、移动存储卡等产品的读写性能测试。
三星850 EVO 1TB SSD ATTO 队列深度4测试
压缩数据 读写速度对比
CrystalDiskMark持续读写测试
数据类型：非压缩型
CrystalDiskMark是一款简单易用的硬盘性能测试软件，但测试项目非常全面，涵盖连续读写、512K和4KB数据包随机读写性能，以及队列 深度（Queue Depth）为32的情况下的4K随机性能。队列深度描述的是硬盘能够同时激活的最大IO值，队列深度越大，实际性能也会越高。
三星850 EVO 1TB SSD CrystalDiskMark测试
非压缩数据 读写速度对比
ATTO和CDM是分别测试出了SSD的非压缩型和可压缩型数据的顺序读写速度，是SSD性能的重要参考依据。从测试得出的数据可以看出三星850 EVO 1TB SSD的表现不俗，测试成绩与新一代旗舰850PRO 1TB SSD仅有微弱的差距。
相比上一代的840 EVO 1TB SSD而言，最大读取速度更接近SATA3.0速率极限，而两款产品均采用三星MEX主控，由此见这点微弱的读写速度差距是由闪存颗粒造成的。
随机读写性能是固态硬盘的关键指标，其单位为IOPS，即每秒进行读写（I/O接口）操作的次数。我们从表中看到固态硬盘的每秒进行读写操作的次数是以万为单位进行计算，而传统的机械硬盘不足300 IOPS值。
AS SSD Benchmark IOPS对比
AS SSD Benchmark是一个专门为SSD测试而设计的标准检测程序，因为它提供了很大的可定制性。
它的成绩显示可以分为两种，一种是MB/秒的形式，另一种是IOPS形式。本次测试主要使用这款软件的IOPS随机读写功能，测试4K-64Thrd多任务随机读写 IOPS值。
读写速度
读写IOPS值
AS SSD Benchmark IOPS值对比
在AS SSD测试中，我们的侧重点是IOPS值，虽然三星850 EVO 1TB SSD定位非旗舰，但这一项测试中有着比肩旗舰的性能表现，并且以微弱的优势战胜了上一代840PRO。
当然，细心的用户会发现三星850 EVO 1TB SSD在4K读写的表现也相当出众，一改以往三星“主流/入门级别”SSD在4K读写表现中规中矩，这回翻身了！我们将在下一页对此进行详细分析：
我们在前面分析三星850 EVO 1TB SSD读 写速度和随机读写能力(IOPS)，这些数据实际上均为顺序读写，因此它们的测试结果往往偏向最大化。在实际工作和生活中，我们并不是按照顺序读写SSD 里的数据，而是根据用户的实际需要从SSD的具体某个地方抽取数据，这就是4K随机读写速度、4K随机读写IOPS值的由来。
笔者使用CrystalDiskMark以及AS SSD软件进行4K随机读写测试，对4款SSD做横向比较，以便可以较好地看出三星850 EVO 1TB SSD的位置。
1、4K随机读写速度：
4K随机读写速度对比